新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

氧化硅片与氮化硅片：半导体制造中的关键材料对比与应用

2025 / 05 / 22

在当今快速发展的半导体行业中，材料选择对器件性能有着决定性影响。氧化硅片(SiO₂)和氮化硅片(Si₃N₄)作为两种重要的绝缘材料，在集成电路制造中扮演着不可替代的角色。本文将深入分析这两种材料的特性差异、制造工艺以及在微电子领域的典型应用场景.

碳化硅衬底的制备和分类
2023 / 07 / 23

衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。碳化硅衬底制备技术碳化硅衬底制备技术包括 PVT 法（物理气相传输法）、溶液法和高温气