首页
衬底
硅片
单晶硅片
高阻硅片
氧化硅片
氮化硅片
镀金属膜硅片
SOI硅片
异形硅片
进口硅片
玻璃片
BF33玻璃
石英片
蓝宝石晶片
氟晶云母
Ⅲ-Ⅴ族晶片
氮化镓GaN
磷化铟InP
砷化稼晶片
Ⅳ族晶片
碳化硅SiC
滤光片
长通滤光片
窄带滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
MEMS器件
柔性电极
探针
二维材料
PMUT
MEMS开关
氮化硅薄膜窗格
微流控
新闻资讯
关于我们
公司简介
联系方式
EN
网站首页
衬底
硅片
玻璃片
Ⅲ-Ⅴ族晶片
Ⅳ族晶片
滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
MEMS器件
柔性电极
探针
二维材料
PMUT
MEMS开关
氮化硅薄膜窗格
微流控
新闻资讯
关于我们
公司简介
联系方式
搜索
减薄
您的当前位置:
首页
>
MEMS代工
>
减薄
>
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
减薄
减薄
通常在晶片封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶片减薄。芯片背面减薄是芯片制造过程中非常重要的环节,旨在使芯片获得更好的电学性能,同时减小芯片的厚度,提高芯片的透明度。 新越半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务,熟练掌握机械研磨、化学机械抛光等晶圆芯片半导体减薄技术。
减薄技术:
● 机械研磨、化学机械抛光等
应用材料:
● Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等
均匀性:
● ±2um
衬底
硅片
玻璃片
Ⅲ-Ⅴ族晶片
Ⅳ族晶片
滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
MEMS器件
柔性电极
探针
二维材料
PMUT
MEMS开关
氮化硅薄膜窗格
微流控
新闻资讯
氮化镓晶片:第三代半导体基材,赋能多赛道产业风口
超薄晶圆制造:晶圆减薄全流程工艺解析
物理AI时代核心突破:MEMS赋能柔性电极,解锁具身智能新边界
差异化干法刻蚀方案,适配各类MEMS器件代工需求
量产级离子注入加工,一站式MEMS晶圆掺杂代工服务
大尺寸晶圆减薄技术,降低MEMS代工生产成本
半导体硅片尺寸与厚度的关联规律及制程适配逻辑
氧化硅与石英刻蚀侧壁倾角成型机理探析
氮化硅:先进芯片制程的核心介质基石
硅晶圆氧化工艺:半导体制造的基础核心工艺
关于我们
公司简介
联系方式
Copyright © 江苏新越半导体科技有限公司 版权所有
苏ICP备2023025394号-1