紫外正性光刻胶
正性光刻是将掩膜版上的图形转移到衬底上，被紫外光曝光后的区域经历了一种化学反应，在显影液中软化并可溶解在显影液中。曝光的正性光刻胶区域将在显影液中除去，而不透明的掩膜版下的没有被曝光的光刻胶仍留在硅片上，由于形成的光刻胶上的图形与投影掩膜版上的相同，所以这种光刻胶就叫做正性光刻胶。保留下来的光刻胶在曝光前已被硬化并将留在硅片表面，作为后步工艺比如刻蚀的保护层，在接下来的工艺结束后光刻胶将被除去。
新越半导体可提供多种规格型号的紫外正性光刻胶，具体型号请咨询客服。
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类型
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型号
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厚度/um
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分辨率/um
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作用光谱
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工艺应用
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正性光刻胶
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S1800系列
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0.5-3.5
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0.5
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g-line,broad line
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最常用的紫外薄胶；稳定性好
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SPR955系列
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0.5-5
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0.35
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i-line
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高分辨率正胶；应用广泛
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SPR220系列
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1-20
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1
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i-line
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适用于深硅刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺
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4000系列
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3-50
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1
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i-,h-,g-line
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适用于电镀、离子注入、MEMS等工艺
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1500系列
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0.5-5
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0.5
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i-,h-,g-line
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适用于分辨率低于1um的常用工艺
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6100系列
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1-6
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0.5
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i-,g-line
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适用于湿法、干法刻蚀工艺
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以上厚度均为单次涂覆厚度；分辨率一般为极限分辨率。
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