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碳化硅片——高性能半导体衬底的关键选择
碳化硅片——高性能半导体衬底的关键选择
2026 / 02 / 10
在半导体产业向“高温、高压、高频、高功率”升级的进程中,碳化硅(SiC)片作为第三代宽禁带半导体衬底材料,凭借其优异的物理化学特性,逐步替代传统硅基衬底,成为新能源、5G通信等战略新兴产业的核心支撑,承载着半导体器件性能突破的关键使命。
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