新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

碳化硅衬底：撑起下一代功率电子转型的 "硬核" 底座
2026 / 10 / 14

当一辆新能源汽车以高压快充在短时间内完成补能，当数据中心在高负载下依然保持高效运转，当光伏逆变器在烈日下稳定输出电能，当智能电网在峰谷之间灵活调配能源，这些场景的背后，都离不开一种被称作 "第三代半导体" 的衬底材料 —— 碳化硅。
半导体衬底：芯片产业的基石材料
2026 / 10 / 09

在半导体芯片制造体系中，衬底材料是一切器件成型的基础载体，被称作芯片的“地基”。所有芯片的外延生长、电路制备、结构封装都依托衬底完成，其晶体结构、电学性能、热学特性直接决定芯片的性能上限、稳定性与使用寿命。随着信息技术向高频、高速、大功率、低功耗方向迭代，半导体衬底材料不断升级演进，从传统硅基材料到宽禁带、超宽禁带新材料，持续支撑着消费电子、新能源、高端通信、人工智能等领域的技术革新，是半导体产业链中不可或缺的核心基础材料。
微纳加工中的原子层沉积（ALD）技术
2026 / 09 / 23

随着半导体器件、微机电系统、纳米光学器件不断向微型化、高密度、高精密方向迭代，传统薄膜沉积技术已难以满足埃米级精度、复杂结构全覆盖的制备需求。原子层沉积（ALD）作为一种基于表面自限制反应的气相薄膜沉积技术，凭借厚度可控性、结构贴合性与薄膜均匀性，成为当代微纳加工领域的核心精密制程之一，支撑着先进微纳器件的研发与量产落地。
半导体衬底基石：单晶硅片与多晶硅片的核心价值与应用差异
2026 / 09 / 17
半导体刻蚀工艺：芯片制造的精密雕刻技术
2026 / 09 / 11
引线键合技术在MEMS器件封装中的应用与工艺优化
2026 / 09 / 03

随着微纳制造技术的迭代升级，MEMS微机电系统器件朝着微型化、高精度、高稳定性、低成本的方向快速发展，广泛应用于传感检测、智能终端、工业测控、航空航天等诸多领域。封装技术作为MEMS器件制造的核心环节，直接决定器件的电气连通性、结构稳定性和使用寿命。引线键合作为传统且成熟的微电子互连技术，凭借工艺兼容性强、成本可控、适配性广等优势，仍是当前MEMS器件封装的主流互连方案，占据MEMS封装内部连接九成以上的应用场景，是保障MEMS器件性能落地的关键技术支撑。
半导体核心基材：解密高阻硅片的技术价值与产业应用
2026 / 08 / 27

在半导体产业链中，硅片是基础且应用广泛的衬底材料，不同参数特性的硅片适配着截然不同的芯片制造场景。多数人熟知的普通硅片多用于逻辑、存储芯片，而在射频通信、太赫兹技术、精密传感等高端领域，高阻硅片是不可或缺的核心基材。作为特种硅基材料，它凭借优异的电学性能，破解了高频信号传输损耗、信号干扰等行业痛点，成为5G、6G前沿技术迭代的重要支撑。
半导体衬底材料在MEMS加工中的应用与工艺探析
2026 / 08 / 20

在MEMS器件的精密制造体系中，半导体衬底材料是核心基础载体，其物理特性、电学性能与工艺适配性，直接决定MEMS微结构的成型精度、结构稳定性与器件服役寿命。衬底材料的选型与加工工艺的匹配优化，是突破MEMS器件性能瓶颈、实现规模化量产的核心关键。
半导体干法刻蚀与湿法刻蚀：芯片微观雕刻的双重工艺
2026 / 08 / 14
氮化镓晶片：第三代半导体基材，赋能多赛道产业风口
2026 / 08 / 06

在全球电子产业朝着低功耗、高频高压、小型化方向快速演进的背景下，以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，正在打破传统硅基材料的性能桎梏，成为 AI 算力、新能源汽车、天地一体化通信、消费电子快充等热门赛道的关键底层材料。氮化镓晶片作为 GaN 功率、射频与光电器件制造的基础基板，凭借独特的晶体电学特性，完成了从实验室研究走向大规模商业化应用的转变，持续释放产业增长潜力。
超薄晶圆制造：晶圆减薄全流程工艺解析
2026 / 07 / 30

先进封装朝着高密度集成、小型化与三维堆叠快速迭代，晶圆减薄早已跳出传统封装辅助工序范畴，成为决定芯片性能与封装可靠性的核心工艺。消费端高集成芯片、高带宽存储、AI 算力 2.5D/3D 集成器件，都对硅片厚度提出严苛标准。常规封装晶圆厚度从数百微米降至 100μm 以内，三维堆叠器件甚至要求 50μm 及以下超薄规格。
物理AI时代核心突破：MEMS赋能柔性电极，解锁具身智能新边界
2026 / 07 / 23

2026年，全球科技赛道迎来关键转折，物理AI与具身智能取代纯数字算法迭代，成为新旧科技文明的分水岭。不同于传统AI的云端数据运算，物理AI的核心是让智能设备拥有“感知实体世界、适配物理环境、复刻生物机能”的能力，推动人形机器人、可穿戴医疗设备、智能仿生装备等实体智能产业进入爆发期。