掺杂
掺杂技术是将所需的杂质以定的方式掺入到半导体基片规定的区城内，井达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制造PN结、互连线的目的。在微机械加工中，通过掺杂技术来实现自停止蚀刻及构造薄膜层。
半导体的常用掺杂技术主要有两种：高温（热）扩散和离子注入。高温扩散是利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构。离子注入是通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入。半导体在经过离子注入以后，还必须要进行退火处理，以消除一些晶格缺陷和使杂质“激活"。
新越半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握离子注入、扩散、退火等多种半导体掺杂技术。
- 金属有机物化学气相沉积：GaN，GaAs
- 化学气相沉积：SIC
- 离子注入：B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
- 高温氧化
- 高温扩散/退火
- 快速退火
