氮化镓GaN - 江苏新越半导体科技有限公司

Ⅲ-Ⅴ族晶片

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氮化镓GaN

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GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元Ⅲ/V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。

尺寸：2-6寸
晶向：C平面（0001）朝向M轴的偏离角0.35°±0.15°
表面：抛光
厚度(um)：350±25