刻蚀
刻蚀技术，是在半导体工艺按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。新越半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀等多种刻蚀方式。
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刻蚀化药：
● 碱性：KOH，TMAH
● 酸性：HF，BOE，HCI，HNO3等
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刻蚀材料：
● 硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料
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刻蚀技术：
● 离子束刻蚀（IBE）：用于较难刻蚀的金属或其他物质
● 深硅刻蚀（DRIE）：刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1
● 反应离子刻蚀（RIE）：刻蚀Si，SiO₂，SiNx等
● 聚焦离子束刻蚀（FIB）：可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工
● 电感耦合（ICP）等离子刻蚀：刻蚀GaN，GaAs，InP等材料
