光刻
光刻工艺是半导体制造中至关重要的一环，它涉及在硅片（或其他衬底材料）上精确刻制图案的过程。
光刻工艺是一个复杂的过程，需要高精度的设备和技术控制来保证图案的精确性和一致性。
新越半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握接触式光刻、步进式光刻、电子束光刻等多种光刻技术。
- 应用材料：
● 硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
- 光刻加工工艺：
● 接触式光刻：
最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
● 步进式光刻：
投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm
● 电子束光刻：
最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围<直径100mm
