紫外负性光刻胶
紫外负性光刻胶
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紫外负性光刻胶
负性光刻的基本特征是当曝光后,光刻胶会因交联而变得不可溶解并会硬化。一旦硬化,交联的光刻胶就不能在溶剂中被洗掉,因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图形相反。负性光刻胶是最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶。
新越半导体可提供多种规格型号的紫外负性光刻胶,具体型号请咨询客服。
类型 型号 厚度/um 分辨率/um 作用光谱 工艺应用
负性光刻胶 SU-8 GM 10系列 0.5-300 高深宽比 g-line,broad band 广泛应用于MEMS工艺、微流控、光电器件等领域
SU-8 2000系列/3000系列 0.5-650 高深宽比 i-line 适用于深硅刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺
FT系列 0.5-150 高深宽比 i-line 适用于刻蚀工艺和lift off工艺
ma-N 400系列/1400系列 0.5-7.5 0.5 broad band 适用于RIE/plating工艺
nXT系列 3-120 高深宽比 broad band
以上厚度均为单次涂覆厚度;分辨率一般为极限分辨率。
更多品牌型号,请咨询客服。
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